|
ГОСТ 4.64-80
Группа Т51
Дата введения 1981-07-01
ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 12 мая 1980 г. N 2059
ПЕРЕИЗДАНИЕ (февраль 1985 г.) с Изменением N 1, утвержденным в марте 1985 г. Пост. N 545 от 13.03.85 (ИУС 6-85).
Настоящий стандарт устанавливает номенклатуру основных показателей качества объемных монокристаллов полупроводниковых материалов, включаемых в ТЗ на НИР по определению перспектив развития этой группы продукции, государственные стандарты с перспективными требованиями, а также номенклатуру показателей качества, включаемых в разрабатываемые и перспективные стандарты на продукцию, ТЗ на ОКР, технические условия, карты технического уровня и качества продукции.
Коды ОКП приведены в справочном приложении 1.
1. НОМЕНКЛАТУРА ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА ОБЪЕМНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
Номенклатура показателей качества, единицы измерения, условные обозначения, а также характеризуемые свойства, приведены в табл.1.
Алфавитный перечень показателей качества полупроводниковых материалов приведен в справочном приложении 2.
Таблица 1
Показатель качества и единица измерения
| Условное обозначение показателя качества
| Характеризуемое свойство
| 1. Удельное электрическое сопротивление, Ом·см
|
| Электрофизическое свойство
| 1.1. Номинальное значение удельного электрического сопротивления, Ом·см
| 
|
| 1.2. Интервал номинальных значений удельного электрического сопротивления, Ом·см
| 
|
| 1.3. Интервал значений удельного электрического сопротивления, Ом·см
| 
|
| 2. Относительное отклонение удельного электрического сопротивления от среднего значения по длине монокристаллического слитка, %
| 
| Электрофизическое свойство
| 3. Радиальное относительное отклонение удельного электрического сопротивления от среднего значения по торцу монокристаллического слитка, %
| 
| Электрофизическое свойство
| 4. Относительное отклонение средних значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления, %
| 
| Электрофизическое свойство
| 5. Ориентация продольной оси монокристаллического слитка
| 
| Кристаллографическое свойство
| 6. Отклонение плоскости торцового среза от плоскости ориентации, °
| 
| Кристаллографическое свойство
| 7. Концентрация атомов оптически активных примесей, см
|
| Химический состав
| 7.1. Концентрация атомов оптически активного кислорода, см
| 
|
| 7.2. Концентрация атомов оптически активного углерода, см
| 
|
| 8. Геометрическая характеристика поперечного сечения монокристаллического слитка
|
| -
| 8.1. Диаметр монокристаллического слитка, мм
| 
|
| 8.2. Интервал номинальных значений диаметров, мм
| 
|
| 8.3. Площадь поперечного сечения монокристаллического слитка, мм
| 
|
| 9. Отклонение диаметра монокристаллического слитка от номинального значения, мм
| 
| -
| 10. Длина монокристаллического слитка, мм
| 
| -
| 11. Плотность дислокаций, см
| 
| Структурное совершенство
| 12. Время жизни неравновесных носителей заряда, мкс, или диффузионная длина, мм
| 
| Электрофизическое свойство
| 13. Суммарная длина малоугловых границ, мм или доли диаметра
| 
| Структурное совершенство
| 14. Концентрация основных несителей заряда, см
| 
| Электрофизическое свойство
| 15. Относительное отклонение от номинального значения концентрации основных носителей заряда, %
| 
| Электрофизическое свойство
| 16. Подвижность основных носителей заряда, см/(В.с)
| 
| Электрофизическое свойство
| 17. Внешние дефекты (трещины, раковины, сколы)
|
| -
| 18. Внутренние дефекты
|
| Структурное совершенство
| 18.1. Раковины, трещины
|
|
| 18.2. Наличие второй фазы
|
|
| 18.3. Наличие двойниковых границ
|
|
| 18.4. Наличие свирл-дефектов
|
|
|
Примечания:
1. Допускается использование других показателей качества, связанных с особенностями отдельных полупроводниковых материалов, по согласованию с потребителями.
2. В качестве удельного электрического сопротивления используется один из показателей 1.1-1.3.
В качестве геометрической характеристики поперечного сечения монокристаллического слитка используется один из показателей 8.1-8.3.
Внутренние дефекты характеризуются показателем 18 или комплексом показателей 18.1-18.4.
3. Для германия вместо показателя 4 используется показатель: "Относительное отклонение значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления, %".
(Измененная редакция, Изм. N 1).
2. ПРИМЕНЯЕМОСТЬ ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА
Применяемость показателей качества полупроводниковых материалов приведена в табл.2-6.
Таблица 2 Кремний монокристаллический Номер показателя качества
| Кремний моно- кристал- лический для полупро- водниковых приборов и микросхем
| Кремний моно- кристал- лический для эпитак- сиальных структур
| Кремний моно- кристал- лический для силовой полупро- водниковой техники
| Кремний монокристал- лический для фотоприем- ников
| Кремний монокристал- лический для источников тока
| Кремний монокристал- лический для детекторов ядерных излучений
| Кремний монокристал- лический водородный
| 1
| +
| +
| +
| +
| +
| +
| +
| 2
| +
| +
| +
| -
| - | +
| + | 3
| +
| +
| +
| ±
| -
| - | -
| 4
| +
| +
| ±
| ± | - | - | - | 5
| +
| +
| +
| +
| +
| +
| +
| 6
| +
| +
| +
| +
| -
| +
| + | 7.1
| +
| +
| +
| +
| -
| +
| + | 7.2
| ± | ± | - | - | - | - | - | 8
| +
| + | + | +
| +
| +
| + | 9
| +
| + | ± | - | -
| ± | -
| 10
| +
| + | +
| +
| +
| +
| + | 11
| + | +
| +
| +
| - | +
| + | 12
| ± | ±
| +
| +
| +
| +
| + | 13
| -
| -
| ± | - | - | ± | +
| 17
| +
| +
| + | +
| +
| +
| + | 18.1
| +
| +
| +
| +
| + | +
| + | 18.4
| ± | ±
| - | - | - | ± | - |
Таблица 3
Германий монокристаллический Номер показателя качества
| Германий монокристаллический для полупроводниковых приборов и микросхем
| Германий монокристаллический для эпитаксиальных структур
| Германий монокристаллический для оптоэлектроники
| Германий монокристаллический для ядерной спектрометрии
| 1
| +
| +
| ± | ±
| 2
| ± | ±
| -
| ± | 3
| ± | ± | - | ±
| 4
| +
| +
| -
| -
| 5
| +
| +
| +
| +
| 6
| - | - | -
| ± | 8
| +
| +
| +
| +
| 9
| ± | ± | ± | ± | 10
| +
| +
| +
| +
| 11
| ± | +
| ± | +
| 12
| ± | -
| - | +
| 13
| ± | ± | - | -
| 14
| -
| - | - | ± | 16
| ± | ± | - | ± | 17
| +
| +
| +
| +
| 18.1
| +
| +
| +
| +
| 18.2
| ± | - | -
| ± | 18.3
| +
| +
| +
| +
|
Таблица 4
Антимонид индия монокристаллический Номер показателя качества
| Антимонид индия для полупроводниковых приборов
| Антимонид индия для эпитаксиальных структур
| 1
| ±
| -
| 5
| +
| +
| 6
| ±
| +
| 8
| +
| +
| 10
| ±
| +
| 11
| +
| +
| 12
| ±
| -
| 13
| -
| +
| 14
| +
| +
| 15
| -
| +
| 16
| +
| +
| 17
| +
| +
| 18
| +
| +
|
Таблица 5
Арсенид галлия монокристаллический Номер показателя качества
| Арсенид галлия для полупроводниковых приборов, микросхем и эпитаксиальных структур
| Арсенид галлия для источников тока
| 1
| ±
| -
| 5
| +
| +
| 6
| +
| +
| 8
| +
| +
| 9
| +
| -
| 10
| +
| +
| 11
| +
| +
| 14
| +
| +
| 15
| +
| - | 16
| +
| -
| 17
| +
| +
| 18
| ±
| ±
|
Таблица 6
Фосфид галлия, арсенид индия, фосфид индия монокристаллические Номер показателя качества
| Фосфид галлия для полупроводниковых приборов и эпитаксиальных структур
| Арсенид индия для полупроводниковых приборов и эпитаксиальных структур
| Фосфид индия для полупроводниковых приборов и эпитаксиальных структур
| 1
| ±
| -
| ±
| 5
| +
| +
| +
| 6
| +
| +
| +
| 8
| +
| +
| +
| 9
| +
| +
| +
| 10
| +
| +
| +
| 11
| +
| +
| +
| 12
| -
| -
| +
| 13
| -
| +
| +
| 14
| +
| +
| -
| 15
| +
| -
| -
| 16
| +
| -
| +
| 17
| +
| +
| +
| 18
| ±
| ±
| ±
|
Примечание к табл.2-6. Знак "+" обозначает применение показателя качества, знак "-" обозначает неприменение показателя качества, знак "±" обозначает ограниченное применение показателя.
(Измененная редакция, Изм. N 1).
ПРИЛОЖЕНИЕ 1 (справочное)ПРИЛОЖЕНИЕ 1
Справочное
Наименование продукции
| Код ОКП
| Кремний монокристаллический, полученный методом Чохральского, для полупроводниковых приборов и микросхем
| 17 7211
| Кремний монокристаллический, полученный методом Чохральского, для силовой полупроводниковой техники
| 17 7212
| Кремний монокристаллический, полученный методом Чохральского, для эпитаксиальных структур
| 17 7213
| Кремний монокристаллический, полученный методом Чохральского, для источников тока
| 17 7215
| Кремний монокристаллический, полученный методом бестигельной зонной плавки, для полупроводниковых приборов и микросхем
| 17 7221
| Кремний монокристаллический, полученный методом бестигельной зонной плавки, для силовой полупроводниковой техники
| 17 7222
| Кремний монокристаллический, полученный методом бестигельной зонной плавки, для фотоприемников
| 17 7224
| Кремний монокристаллический, полученный методом бестигельной зонной плавки, для детекторов ядерных излучений
| 17 7226
| Кремний монокристаллический водородный
| 17 72211000
| Германий монокристаллический для полупроводниковых приборов и микросхем
| 17 7441
| Германий монокристаллический для эпитаксиальных структур
| 17 7443
| Германий монокристаллический для оптоэлектроники
| 17 7444
| Германий монокристаллический для ядерной спектрометрии
| 17 7447
| Антимонид индия монокристаллический
| 17 7532
| Арсенид галлия монокристаллический
| 17 7512
| Фосфид галлия монокристаллический
| 17 7542
| Арсенид индия монокристаллический
| 17 7522
| Фосфид индия монокристаллический
| 17 7552
|
(Введено дополнительно, Изм. N 1).
ПРИЛОЖЕНИЕ 2 (справочное). АЛФАВИТНЫЙ ПЕРЕЧЕНЬ показателей качества полупроводниковых материаловПРИЛОЖЕНИЕ 2
Справочное Наименование показателя качества
| Номер показателя качества
| Время жизни неравновесных носителей заряда
| 12
| Дефекты внешние
| 17
| Дефекты внутренние
| 18
| Диаметр монокристаллического слитка
| 8.1
| Длина малоугловых границ суммарная
| 13
| Длина монокристаллического слитка
| 10
| Длина диффузионная
| 12
| Значение удельного электрического сопротивления номинальное
| 1.1
| Интервал значений удельного электрического сопротивления
| 1.3
| Интервал номинальных значений диаметров
| 8.2
| Интервал номинальных значений удельного электрического сопротивления
| 1.2
| Концентрация атомов оптически активных примесей
| 7
| Концентрация атомов оптически активного кислорода
| 7.1
| Концентрация атомов оптически активного углерода
| 7.2
| Концентрация основных носителей заряда
| 14
| Наличие второй фазы
| 18.2
| Наличие двойных границ
| 18.3
| Наличие свирл-дефектов
| 18.4
| Ориентация продольной оси монокристаллического слитка
| 5
| Отклонение диаметра монокристаллического слитка от номинального значения
| 9
| Отклонение относительное от номинального значения концентрации основных носителей заряда
| 15
| Отклонение плоскости торцевого среза от плоскости ориентации
| 6
| Отклонение относительное средних значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления
| 4
| Отклонение относительное удельного электрического сопротивления от среднего значения по длине монокристаллического слитка
| 2
| Отклонение относительное радиальное удельного электрического сопротивления от среднего значения по торцу монокристаллического слитка
| 3
| Плотность дислокаций
| 11
| Площадь поперечного сечения монокристаллического слитка
| 8.3
| Подвижность основных носителей заряда
| 16
| Раковины
| 17; 18.1
| Сколы
| 17
| Сопротивление удельное электрическое
| 1
| Характеристика геометрическая поперечного сечения монокристаллического слитка
| 8
|
(Введено дополнительно, Изм.N 1).
|
1. Избавляем от необходимости содержать собственный
